3月16日，国博电子发布公告称，公司将募集资金投资项目“射频芯片和组件产业化项目”（以下简称“募投项目”）达到预定可使用状态的日期延长至2025年3月。关于项目延期原因，国博电子表示，射频芯片和组件产业化项目在实施过程中，面对复杂多变的外部经济环境影响，公司基于谨慎性的原则减缓了该项目的实施进度，并根据行业技术的最新发展情况调整了部分设备的技术要求，

3月19日，英伟达宣布，为加快下一代先进半导体芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC和Synopsys将在生产中使用NVIDIA计算光刻平台。台积电、新思科技已将NVIDI AcuLitho集成到其软件、制造工艺和系统中，在加速芯片制造速度的同时，加快对未来最新一代NVIDIA Blackwell架构GPU的支持。英伟达CEO黄仁勋表示，计算光刻技术是芯片制造的基石，公司与台积电和新思科技合作开发

据中新辽宁消息，3月18日，2024年辽宁省一季度重点项目集中开工动员大会在沈阳市铁西区（经开区、中德园）汉京半导体产业基地项目现场举办。消息显示，汉京半导体产业基地作为集成电路装备产业集群重点项目，由辽宁汉京半导体材料有限公司投资建设，项目总投资10亿元，占地面积9.6万平方米，规划建筑面积12万平方米，提供直接就业岗位1000个以上。项目主要生产集成电路产业专用材料，建成后将吸引集成电路产业链

据无锡发改消息，3月15日，无锡市委召开今年全市重大产业项目建设现场推进会首场会议，并披露宜兴中车时代中低压功率器件产业化项目，中环集成电路用大直径硅片扩能项目等项目的进展情况。宜兴中车时代中低压功率器件产业化项目，计划总投资59亿元，建成达产后可年产72万片8英寸中低压IGBT晶圆，项目一期已主体封顶，预计今年9月部分竣工投产。中环集成电路用大直径硅片扩能项目，已累计完成投资78.6亿元，计划今

近日，深圳爱仕特科技有限公司（以下简称爱仕特）、深圳市英威腾电动汽车驱动技术有限公司、中国科学院深圳先进技术研究院签署合作协议，联合开发基于SiC的新能源汽车高集成度多功能驱动系统，获得了2023年度深圳市创新创业计划—科技重大专项项目的立项批准。该项目技术研发涵盖SiC功率模块、高可靠性电子控制系统及混合动力驱动系统。其中，爱仕特将着力研发SiC功率器件的关键封装及测试、驱动和结温保

近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半

近日，外媒《tomshardware》报道，据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告，其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027~2028年。俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂均计划于2026~2027年完工，约一年后正式投运。根据报道，本次英特尔投资项目是俄亥俄州历史上最大的单一私营公司投资。预计将为英特尔创造3000个直接就业岗位，提供4.05亿美元的年度工资。此外，据悉，英

近日，深南电路在接待机构投资者调研时表示，公司封装基板业务产品覆盖种类广泛多样，包括模组类封装基板、存储类封装基板、应用处理器芯片封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。深南电路表示，2023年上半年全球半导体行业景气较弱，下游客户产品库存调整周期拉长，下半年以来部分领域需求有所修复。公司封装基板业务通过深耕存量市场、开发新客户等多措并举，保障业务营收的基本稳定。公司凭借广泛的BT

3月18日，据中国台湾经济日报报道，台积电将在台湾地区嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资，园区将拨出六座新厂用地给台积电，比原本预期的四座多两座，总投资额逾5000亿新台币（约合人民币1137亿元），主要扩充晶圆基片芯片（CoWoS）先进封装产能。另据其他媒体消息显示，台积电正考虑在日本建设先进的芯片封装产能，选择之一是将其CoWoS封装技术引入日本。3月18日晚间，台积电官方虽未证实六座新厂及日

AI热潮之下，高算力AI芯片需求水涨船高，以英伟达为代表的AI芯片大厂以及其背后产业链持续受益。近期，英伟达发布最新一代AI芯片，推理性能提升30倍，再次引发业界关注。1英伟达市值飙涨最新一代AI芯片性能大幅提升北京时间3月19日凌晨，英伟达宣布推出新一代AI芯片架构Blackwell，首款Blackwell芯片命名为GB200，性能与功耗均较上一代产品大幅升级。图片来源：英伟达据悉，GB200