3月21日，北方华创宣布，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单。这标志着北方华创 CVD （化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用。为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO 2 （ 氧化铪 ）作为栅介质层，结合金属栅极技术，研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。北方华创表

3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。镓仁半导体指出，此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有以下显著优势：第一，铸造法

3月21日，科友半导体宣布，公司于近日在成功拿下超2亿元的出口欧洲长订单之后，顺利通过“国际汽车特别工作组质量管理体系”（IATF16949）认证，获得进军国内新能源汽车芯片衬底百亿级规模市场“通行证”。科友半导体技术总监张胜涛表示，公司的产品已经通过了客户的前期验证，正在进行长订单的生产排期，生产线正在满负荷运行，确保今年按照合同如期交付，首批产品

近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案

为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，近日，西部数据以“存储周期，激发潜能”带来了新一代车规级UFS 3.1存储解决方案，和采用新一代QLC技术的Western Digital PC SN5000S NVMe™ SSD，以及针对企业级数据中心的NVMe SSD三款前沿尖端Flash产品，引起行业多方注目。西部数据公司中国区智能终端产

近日，国务院办公厅关于印发《扎实推进高水平对外开放更大力度吸引和利用外资行动方案》，《行动方案》提出5方面24条具体措施，包括扩大市场准入，提高外商投资自由化水平、加大政策力度，提升对外商投资吸引力、优化公平竞争环境，做好外商投资企业服务、畅通创新要素流动，促进内外资企业创新合作、以及完善国内规制，更好对接国际高标准经贸规则等。《行动计划》明确指出，扩大鼓励外商投资产业目录和外资项目清单。具体来看

据苏州工业园区发布消息，近日，新美光（苏州）半导体科技有限公司项目顺利取得建筑工程施工许可证，实现“拿地即开工”。资料显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司专注于研发先进半导体材料，从事集成电路核心零部件的研发和产业化，致力于打造成核心零部件的平台型企业，先后荣获苏州市瞪羚企业、独角兽培育企业、国家高新技术企业等荣誉称号，并参与2个国家级重大研发专项课题。新美光将总部项目位

据TrendForce集邦咨询观察NVIDIA GTC趋势，硬件方面，今年亮点产品为Blackwell AI服务器架构平台，辅以第二代Transformer引擎与第五代NVLink技术可支援高达10兆参数模型之AI训练与实时LLM推理，并以此为基础推出B100、B200与GB200等AI芯片，为市场AI应用预备。由于NVIDIA产品迭代快速，提升产品成效是关键，在成本与能耗比大幅优化的前提下，上述

3月21日，中微公司宣布，公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo nanova®系列第500台反应腔于近日顺利付运国内一家先进的半导体芯片制造商。本批次运付的ICP刻蚀设备Primo nanova®系列产品，均来自该客户的重复订单。此次付运的Primo nanova®是中微公司针对先进的工艺节点与生产线的各种关键应用，基于电感耦合（ICP）技术研发的12英寸刻蚀设

尽管近期市场传出英特尔等半导体大厂推迟美国晶圆厂投运的消息，但是随着市场需求逐渐回温，以及AI等高性能应用驱动，全球晶圆厂尤其是12英寸晶圆厂的投资热潮仍在继续。近期，国际半导体产业协会（SEMI）对外表示，由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求，全球应用于前道工艺的300mm（12英寸）晶圆厂设备投资，预计将在2025年首次突破1000亿美元，达1165亿美元，增长20%，202