· 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成

受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道，三菱电机将于今年4月，在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月

近日，苏州集成电路高端材料基地项目取得桩基施工许可证，实现“拿地即开工”项目是江苏省重大项目之一，位于吴淞江以东、海藏西路以南、东方大道以北、东石泾港路以西，总占地面积约192亩，预计总投资约100亿元，全部达产后预计每月生产50万片产品。本次先行开工的北地块占地面积约73.5亩，总建筑面积约6万平方米，容积率为2.02，包含厂房、仓库、特气站等建筑。封面图片来源：拍信网

近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，从而

TrendForce集邦咨询：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于

GPU大厂英伟达19日清晨在美国加州圣荷西召开的GTC2024，发表号称迄今最强AI芯片GB200，今年稍晚出货。GB200采新Blackwell架构GPU，英伟达创办人暨执行长黄仁勋表示，两年前Hopper架构GPU已非常出色，但现在需要更强大的GPU。英伟达每两年更新频率，升级一次GPU架构，大幅提升AI芯片性能。英伟达2022年发表Hopper架构H100AI芯片后，引领全球AI市场风潮。如

近日，半导体IPO板块动作频频。志橙股份、英诺赛科、汇成真空、联明电源、莱普科技、捷希科技等多家半导体企业IPO申请迎来新进展，涉及领域涵盖射频、芯片设计、半导体设备、半导体材料等。志橙股份更新IPO招股书2024年3月17日，深圳市志橙半导体材料股份有限公司（以下简称“志橙股份”）更新了一版招股书（申报稿），并对首轮问询、第二轮问询、第三轮问询的回复内容进行了更新。图片来

TrendForce集邦咨询：铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%据TrendForce集邦咨询研究显示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询进一步表示，为应对下

自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。01GaN正在加

3月18日，国新办举行2024年1-2月份国民经济运行情况新闻发布会。国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长在会上表示，今年前两个月，新动能新优势不断培育壮大，各方面都有新的进展。具有高科技、高效能、高质量特征的行业发展向好。具体来看，1-2月份，规模以上装备制造业增加值同比增长8.6%，高于全部规上工业平均水平1.6个百分点；高技术制造业增加值增长7.5%，其中半导体器件专用设备