6月28日，浙江省湖州市安吉县在上海举行推介会。“安吉发布”官微消息显示，推介会上，35个项目集体签约，包括年产1600吨碳化硅衬底材料项目、高性能新能源电池覆膜材料产业园项目等。其中，年产1600吨碳化硅衬底材料项目签约方为苏州冠岚新材料有限公司（以下简称：冠岚新材料）。公开资料显示，冠岚新材料成立于2021年9月，主要产品为大尺寸、高纯度、低成本第三代半导体SiC原材料

7月3日电，通富微电公告，公司近日与中信建投资本、中信建投投资签署合伙协议，共同投资厦门润信汇泽投资合伙企业(有限合伙)，基金投资方向为专项股权投资，直接或通过特殊目的载体投资于半导体行业公司股权。合伙企业总认缴出资额为1.808亿元，公司作为有限合伙人，以自有资金认缴1亿元，占该合伙企业认缴出资总额的55.56%。据悉，该基金将进行专项股权投资，直接或通过特殊目的载体投资于半导体行业公司股权。封

近日，芯塔电子核心型号功率模块产品成功下线，已大批量交付工业领域标杆客户。据官微介绍，湖州功率模块封装产线总投资1亿元，于2024年初正式通线，目前处于量产爬坡阶段。产线全部达产后，将年产100万套功率模块，预估年产值3亿元。目前，芯塔电子已开发了多种封装及拓扑结构的功率模块产品。其碳化硅系列产品目前覆盖了电动汽车(EV)主驱逆变器、OBC/DC-DC、充电桩、光伏和储能系统(ESS)以及工业电源

目前，第三代半导体是全球战略竞争新的制高点，也是各地区的重点扶持行业，意法半导体、英飞凌、安世半导体、三安光电等头部厂商顺势而上，加速布局第三代半导体，市场战火已燃，一场群雄逐鹿之战正在上演。多方来战，“直捣”三代半核心环节第三代半导体欣欣向荣，八方入局，抢夺市场重要赛位，拥抱巨大增量市场。业界认为，面对下游行业需求的爆发，提升工艺及良率，扩大晶圆产能是行业当务之急。第三代

AI人工智能正推动存储器产业强劲发展，AI应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，NAND Flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时，也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示，三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。三星第九代V-NAND闪存材料技术突破三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，今年下半

7月2日，为加强人工智能标准化工作系统谋划，工信部、中央网信办、国家发展改革委、国家标准委等四部门编制印发《国家人工智能产业综合标准化体系建设指南（2024版）》（简称《指南》）。《指南》指出，到2026年，标准与产业科技创新的联动水平持续提升，新制定国家标准和行业标准50项以上，引领人工智能产业高质量发展的标准体系加快形成。开展标准宣贯和实施推广的企业超过1000家，标准服务企业创新发展的成效更

近日，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购，作为其持续致力于提供强大、前沿的智能图像感知技术的举措之一。资料显示，SWIR Vision Systems是胶体量子点（CQD®）短波红外（SWIR）技术的领先供应商，该技术扩展了可检测光的光谱范围，可以透视物体并捕捉以前无法捕捉到的图像。安森美表示，通过此次收购，安森美将把硅基CMOS传感器

近期，媒体报道存储大厂铠侠正准备尽快提交初步申请，预计8月底前正式向东京证券交易所提交申请，目标10月底首次公开发行（IPO）。为了赶在计划期限前完成上市，铠侠的筹备工作在比以往任何时候都要快的速度进行。不过有业内人士称，上市时间有可能会推迟到12月，同时这次IPO筹集的资金可能低于2020年时的初始估值，当时其管理层预计铠侠的价值达到160亿美元。目前铠侠的多数股权是由私募股权公司贝恩资本牵头的

据舟山发布消息，7月1日，舟山高新区2024年10个重点项目集中开工，总投资约65亿元。其中，包括北方特气硅基新材料及第三代半导体材料一体化项目。北方特气硅基新材料及第三代半导体材料一体化项目总投资达50亿元，建设内容包含生产装置、公用工程设施、辅助生产设施、厂内行政生活设施、全厂性设施、实验室、研发中心等。其中一期项目用地面积约25.9公顷，建筑面积约25万平方米，一期投资31亿元。建成后可形成

尽管美国CHIPS项目办公室此前已宣布，将关闭对半导体工厂或晶圆厂的联邦资助机会，但对半导体其他细分领域厂商的资助依然持续。当地时间6月26日，半导体材料厂商Entegris宣布，根据《芯片与科学法案》而获得美国政府7500万美元的直接补助。最新消息是，美国政府近日又资助了一家MEMS代工厂商。当地时间7月1日，美国商务部宣布与MEMS代工厂Rogue Valley Microdevices（以下