当地时间6月4日，英特尔宣布与阿波罗公司达成协议，英特尔将以110亿美元的价格出售其位于爱尔兰的Fab34工厂相关合资企业49%的股份。英特尔仍将持有合资企业51%的控股权，保留对Fab34及其资产的全部所有权和运营控制权。据介绍，Fab34工厂位于爱尔兰莱克斯利普，是英特尔领先的大批量制造（HVM）工厂，专为采用Intel4和Intel3工艺技术的晶圆而设计。迄今为止，英特尔已向Fab34投资了

据企查查信息，5月31日，长电科技汽车电子（上海）有限公司发生工商变更，新增股东国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（大基金二期）、上海集成电路产业投资基金（二期）有限公司、上海国有资产经营有限公司等。同时该公司注册资本由4亿元增加至48亿元，并新增多位董事和监事。出资方面，上海国有资产经营有限公司出资7亿元，上海芯之鲸企业管理合伙企业（有限合伙）出资2.4亿元，上海集成电路产业投资基金（二期

6月5日，韩国首座8英寸SiC工厂在釜山开建，投资方为EYEQLab，规划产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。资料显示，EYEQLab成立于2018年5月，是一家功率半导体无晶圆厂公司。EYEQLab于2020年与釜山科技园签订300片SiC功率半导体晶圆代工（委托生产）合同，此前EYEQLab聚焦于6英寸SiC晶圆。封面图片来源：拍信网

据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。铭镓半导体董事长陈政委表示，半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸，而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸，可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型（00

6月4日，全球特种材料和表面技术公司Kymera International（“Kymera”）表示，将收购碳化硅（SiC）材料厂商Fiven ASA（“Fiven”）。该交易预计将在获得常规监管批准后完成，具体交易细节尚未披露。资料显示，Fiven是由OpenGate Capital旗下SiC业务分拆出来的企业。Fiven生产的SiC颗粒和粉末具有

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半导体）在官网披露，其与ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，为电动汽车（EV）开发基于碳化硅（SiC）的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍，GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器，可延长电

近日，英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。他表示，英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片，但目前尚未通过测试，因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题，黄仁勋表示，认证三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒体所报道的因芯片过热问题未通过质量测试。他重申，英伟达与三星的合作进展顺

6.19，TSS2024随着消费电子市场逐渐复苏，加上ChatGPT、Sora等大模型“火爆出圈”，此前步入下行周期的半导体行业逐渐释放利好信号：存储器市场自去年第四季度市况反弹，价格止跌回升，涨势在今年一季度得到延续，多家存储大厂业绩报喜，HBM与DDR5等高附加值产品备受关注。AI、数据中心驱动之下，高性能AI芯片需求持续高涨，晶圆代工厂商加足马力扩产，与此同时先进制程

据日本媒体报道，存储器大厂铠侠近日宣布，将从其第10代NAND产品开始，在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术，以进一步提升生产效率，并追赶全球领先的竞争对手。报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。而这种效率的提升不仅可以减少生产时间，还能大幅提高单位时间

据锡东新城消息，6月5日，昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。此次签约的项目总投资超10亿元，主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线，可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。资料显示，昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产，其产品广泛应用于光伏储能