近日，三菱电机在业绩说明会上表示，为响应强劲的市场需求，公司位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前开始运营。该工厂的运作日期从2026年4月变更为2025年11月，运营时间提前了约5个月。据悉，2023年3月，三菱电机宣布投资约1000亿日元（约合46亿人民币），其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产设施。该工厂将在熊本县石井地区拥有一个自有设施，生产8英寸SiC晶圆，并引入一

根据TrendForce集邦咨询研究预估，2024年折叠手机出货量约1,780万部，占智能手机市场仅约1.5%，由于高维修率、高售价的问题待解决，预计至2028年占比才有机会达到4.8%。三星（Samsung）初入市场作为折叠手机的先驱之姿，在2022年占据了超过八成市场份额，从2023到2024年间，开始面临随着多家智慧型手机品牌厂加入竞争，市场份额从六成降到了五成保卫战。今年折叠手机的重要角色

近日，南京市政府印发《南京市进一步促进人工智能创新发展行动计划（2024—2026 年）》和《南京市促进人工智能创新发展若干政策措施》“1+1”文件（以下简称《行动计划》《政策措施》）。其中《行动计划》在总体目标方面提出，到2026年，力争引培国内外先进水平的基础大模型1个，打造行业大模型20个以上，可统筹智能算力超 6000P FLOPS（FP16），每年打造

6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E

近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较

6月2日，捷捷微电与吉利科技旗下功率半导体公司浙江晶能微电子签署战略合作协议。 双方将进一步加强在工控IGBT领域的战略合作，并拓展在汽车电子领域的合作范围。捷捷微电表示，公司与晶能已经在电力电子器件与分立器件领域建立了紧密而稳固的合作关系，并积累了丰富的产品导入经验。此次签约将进一步加强双方的战略合作伙伴关系。双方将在联合研发与技术创新、生产制造、供应链协同、人才培养以及成立联合实验室等方面展开

据市场消息，目前，ASML High NA EUV光刻机仅有两台，如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求，为此ASML布局步伐又迈一步。当地时间6月3日，全球最大的半导体设备制造商阿斯麦（ASML）宣布，携手比利时微电子研究中心（IMEC），在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab

6月5日，上海凯世通半导体宣布，近日公司再次获得一家12吋主流晶圆厂客户的低能大束流离子注入机复购订单。该重点客户自去年一季度起已多次向凯世通采购设备，累计下单总数超过10台。2024年以来，凯世通离子注入机持续服务多地客户产业化大生产，不到半年发货数量已超过10台。凯世通低能大束流离子注入机通过大批量产线验证，束流传输效率高、稳定性好，具备优异的工艺匹配能力与广泛的制程覆盖能力。封面图片来源：拍

据JEDEC（固态技术协会）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明确会以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。DDR6内存最低频率8800MHz，可提高至17.6GHz，理论最高可以推进至21GHz，远超DDR4和DDR5内存。CAMM2是一种全新内存标准，同样支持DDR6标准内存，也就是适用于台式PC等大型PC设备。JEDEC预计，将在今年内完成DDR6内存标准的初步草稿，1

近日，聚焦SiC产业链的三家大厂意法半导体、三菱电机、英飞凌传来最新消息。意法半导体方面，其将在意大利卡塔尼亚建设世界首个全流程垂直集成的碳化硅（SiC）工厂；三菱电机方面，该公司位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前5个月开始运营；英飞凌方面，则已获得其位于德国德累斯顿的价值50亿欧元的智能功率半导体工厂的最终建设许可，该工厂将按计划于2026年开始生产。碳化硅具备耐高压、耐高温、高频率、抗辐射