据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。

近年来，半导体市场需求持续攀升，加上中国对自主可控技术愈发重视，半导体行业迎来了一波新公司成立潮，这些新公司涵盖了芯片设计、制造、设备、封装、材料等多个关键环节，不仅进一步完善了产业链，也为行业注入了新的活力。而近期，韦尔股份、利扬芯片、圣邦微电子、广钢气体等亦纷纷出手，投资成立了新的半导体公司。韦尔股份成立新公司，专注集成电路设计业务近日，思比科集成电路设计（上海）有限公司（以下简称&ldquo

近日，佰维宣布推出 M350 PCIe 4.0 SSD，最大提供 4TB 容量。佰维表示，这次的新产品属于高性价比 SSD，补全了旗下 SATA3.0 到 PCIe 4.0、PCIe 5.0 的 SSD 产品阵容，覆盖从入门级用户到专业发烧友的存储全场景需求。M350顺序读写速度最高分别为6000MB/s和5000MB/s，读写速度较传统SATA SSD提升近10倍，可快速完成大型游戏启动、超清视

TrendForce集邦咨询: Server DRAM与HBM持续支撑，4Q24 DRAM产业营收季增9.9%根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，较前一季成长9.9%；由于Server DDR5的合约价上涨，加上HBM集中出货，前三大业者营收皆持续季增。平均销售单价方面，多数应用产品的合约价皆反转下跌，只有美系CSP增加采购大容量Serv

三星宣布，推出9100 PRO。这是其消费类SSD系列的最新成员，配备了PCIe 5.0标准的接口，提供了行业领先的速度、更高的能效和更大的存储容量，使其成为游戏、AI内容创作、以及各种设备（包括笔记本电脑、台式机和游戏机）上进行多任务处理的完美选择。9100 PRO SSD采用了PCIe 5.0 x4接口，外形为M.2 2280规格，提供了1TB、2TB、4TB和8TB四种容量可选。值得一提的是

2月26日，美光科技宣布已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。据悉，1γ DRAM节点将首先应用于美光16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。与前代产品相比，16Gb DDR5 DRAM传输速率

近日，为支持集成电路产业高质量发展，中关村科学城管委会制定了《中关村科学城集成电路流片补贴申报指南》（以下简称“申报指南”），对面向海淀区从事集成电路设计业务的企业，符合条件的最高奖励1500万元。为支持AI芯片、高端处理器等区内核心产业，中关村科学城将对开展先进制程首轮流片的企业进行重点支持，对开展成熟制程流片的企业相应降低支持标准。具体来看，《申报指南》提出，支持集成电

2月24日，晶合集成董事长蔡国智一行到访思特威，与思特威董事长徐辰等就全新合作目标进行了深入交流，并现场签署长期深化战略合作协议。双方将在工艺开发、产品创新、产能供应等方面加大合作力度。资料显示，思特威是国内领先的CIS芯片厂商，根据业界数据，2023年思特威在智慧安防领域CIS出货量蝉联全球第一，在车载领域位列全球第四位，在手机领域位列全球第五位。此次双方签署战略合作协议，旨在全力攻克国产CIS

英特尔（Intel）日前产业会议透露，开始用两台阿斯麦（ASML）High-NA Twinscan EXE：5000 EUV光刻机。 英特尔工程师 Steve Carson 表示，奥勒冈州Hillsborough附近 D1 工厂开始用ASML 两台 High-NA EUV，至今处理达 3 万片晶圆。每台High-NA EUV成本高达3.5亿欧元，英特尔更是全球第一家安装High-NA EUV的主要

2月25日，美光（Micron）正式推出基于全新1γ（1-gamma）制程技术的16Gb DDR5存储器，这是美光首次采用极紫外光（EUV）曝光技术。新存储器不仅比前代产品具备更高效能、更低功耗，制造成本也有望进一步下降。此外，美光表示，其1γ制程技术（第六代10nm级节点）未来将应用于其他DRAM产品。美光基于1γ制程的主力产品为16Gb DDR5存储器，在业