5月2日，晶圆代工大厂力积电在苗栗铜锣的12英寸晶圆新厂举行启用典礼。力积电表示，铜锣新厂从2021年3月动土兴建，耗时约3年落成启用。总投资额超3000亿元新台币（约合人民币660亿元），主要生产55、40、28纳米制程的芯片，预计月产能可达5万片。图片来源：力积电据力积电消息，铜锣新厂已完成首批设备安装，并投入试产，将成为推进制程技术、争取大型国际客户订单的主力平台。未来还计划在同一厂区内增建

据科技日报报道，美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。研究人员表示，这款存储器是一种非易失性设备，能在无电源状态下长期保留存储器上的信息。相较之下，传统硅基闪存在温度超过200

近日，韩国媒体BusinessKorea报道，韩国政府正在积极推进新的研发 (R&D) 项目，包括开发用于自动驾驶汽车的人工智能 (AI)芯片，旨在超越美国半导体巨头英伟达 (NVIDIA) 。报道称，韩国工信部5月2日宣布，由企业、科研院所和大学专家组成的“第二届战略规划与投资委员会”审议通过了2025年62个新研发项目，其中包括逾12个领域的旗舰项目和路线图。委

TrendForce集邦咨询：2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，20