当前半导体产业逐渐复苏，加上AI人工智能、汽车电子等产业的快速发展，半导体厂商投资热情持续高涨。与此同时，随着工艺制程竞赛日趋激烈，晶圆代工头部厂商已将目光瞄准2纳米制程，而台积电作为全球最大的晶圆代工企业，2纳米工厂也正在如火如荼的建设中。102.6亿美元增资案获批6月27日，中国台湾经济部投资审议会通过了台积电两项增资案：为因应当地客户需求成长、强化与客户间的策略关系等，台积电申请分别以52.

据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，

6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产，以满足对高效功率半导体日益增长的长期需求。安世半导体表示，这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进

近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本

6月24日，湖南省功率半导体产业对接会暨功率半导体行业联盟第八届发展战略高峰论坛在株洲举行。会上，4个功率半导体项目现场签约，分别为特种变压器智能制造基地项目、SiC半导体设备与基材生产基地、沃坦科通信连接器项目、功率半导体基板批量制造基地项目。其中，SiC半导体设备与基材生产基地项目建设单位为株洲诺天电热科技有限公司（以下简称诺天科技）。诺天科技致力于中高频感应加热设备和工业控制设备的开发生产与

7月12-13日，由国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟主办，通富微电子股份有限公司（国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟当值理事长单位）、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、长三角集成电路融合创新发展产业联盟、苏州工业园区集成电路产业投资发展有限公司、上海风米云传媒科技有限公司承办、江苏省集成电路产业技术创新战略联盟、江苏省半导体行业协会、江苏长电科技股份有限公司、天水华天科技股份有限公

TrendForce集邦咨询：预估第三季NAND Flash产品合约价涨幅收敛至5-10%根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季除了企业端持续投资服务器建设，尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用，继续受到订单推动，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅度趋于积极，第三季NAND Flash 供过于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.

“芯”闻摘要先进封装迎来最强风口内闪存产品合约价预测AI NB渗透率将成长至20.4%国内又一批集成电路基金落地三星、美光扩产存储厂商争夺GDDR7话语权1先进封装迎来最强风口6月21日，日月光投控旗下日月光半导体日宣布，与日月光旗下宏璟建设在高雄兴建K28厂，预计2026年第四季度完工，重点布局先进封装终端测试以及人工智能（AI）芯片高性能计算。除了日月光，近期业界关于先

据浦口经开区消息，6月30日，江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出型封装产业化项目奠基仪式举行，标志着该项目进入全面施工阶段。消息显示，盘古半导体先进封测项目计划总投资30亿元。项目分两个阶段建设，其中一阶段建设期为2024至2028年，新建总建筑面积约12万平方米的厂房及相关附属配套设施，推动板级封装技术的开发及应用。2025年部分投产，项目全面达产后预计年产值不低于9亿元。据了解

6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：“目前，生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。&rd