近日，湖北百视特半导体科技有限公司年产3000万个COB制程高端摄像头模组项目在湖北枝江市电子信息产业园正式投产。该项目作为百康光电落户枝江7年的又一标志性项目，同时也是企业深耕电子信息产业、迈向高端的引领性项目。项目总投资10亿元，占用厂房面积7500平方米，于2024年7月9日正式开工。据“枝江发布”介绍，该项目主要生产COB制程高端摄像头模组，可实现年产值8.5亿元，

10月4日，中国台湾科学园区审议会第19次会议召开，会中通过冠亚半导体股份有限公司（下文简称“冠亚”）投资议案。据介绍，该案投资金额达15亿元新台币（折合人民币约3.29亿元），主要用来生产氮化镓功率元件相关产品。资料显示，冠亚为台亚半导体子公司，专注于氮化镓（GaN）功率技术。公司可提供的氮化镓功率元件包含650V（GaN on Si）以下与1200V（GaN on Sa

近期，先进封装技术亮点和产能演进持续。技术端看，台积电布局先进封装技术3DBlox生态，推动3DIC技术新进展；产能布局上，10月9日封测大厂日月光半导体K28新厂正式动工扩产CoWoS产能；另外近期奇异摩尔和智原科技合作的2.5D封装平台成功进入量产阶段，甬矽电子拟投14.6亿新增Fan-out和2.5D/3D封装产能。日月光K28厂动土，扩充CoWoS高端封测产能10月9日，封测大厂日月光半导

2024年的碳化硅市场犹如一条汹涌的大河，全球各大厂家倾泻而下、奔涌向前。我们可以看到全球各大厂在过去几年中投资布局的8英寸碳化硅生产线已逐步进入落地阶段，包括英飞凌在马来西亚建设的居林新厂，安森美在韩国富川规划的生产设施，三安在重庆投资的碳化硅项目等等。聚焦我国，则以碳化硅产业链中的8英寸衬底材料发展为甚，近两年许多企业8英寸衬底技术陆续突破。总体而言，8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近，本文将对

近日，ASML新任执行长Christophe Fouquet在SPIE（国际光学工程学会）大会上发表演讲时，重点介绍了High NA EUV光刻机。此外，Christophe Fouque还确认，英特尔的第二套High NA EUV光刻机已经组装完成。Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机将不太可能像当前标准EUV光刻机那样出现延迟交货的情况，其原因是ASML找到了

10月7日，希磁科技MEMS智能磁传感器核心器件中试研发项目在蚌埠市经开区签约。据“蚌埠市人民政府发布”介绍，MEMS智能磁传感器核心器件中试研发项目总投资7亿元，将在中国传感谷建设一条年产约2亿颗MEMS智能线性类、角度类、磁场类磁传感器核心器件中试研发产线。项目的建设，将实现传感器核心器件制造环节的完全自主可控，对助力提升国家自主创新能力具有重要意义。

近日，我国中国科学技术大学、华中科技大学、上海交通大学、北京大学、西安电子科技大学科研团队在集成电路多领域研究取得重大进展，推动我国集成电路事业高速发展。中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首

近日，紫辰星新能源有限公司（下文简称“紫辰星”）宣布联合中核汇能宁夏新能源有限公司、青岛华芯晶电科技有限公司与吴忠市红寺堡区政府签订三方合作协议，共建华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目。根据协议约定，华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目的产品主要应用于功率器件、光通信、5G通信和背光、显示芯片等制造。项目总投资20亿元，分二期建设。其中，一期项目总投资7亿元，占地100亩，建

据亦庄机器人消息，10月10日，工业和信息化部与北京市人民政府在京举行揭牌仪式，北京具身智能机器人创新中心正式升级为“国家地方共建具身智能机器人创新中心”。北京具身智能机器人创新中心于去年11月在北京经济技术开发区成立，是国内首家聚焦于具身智能机器人核心技术、产品研发、应用生态建设的创新中心。由行业领军企业联合组建，致力于成为具身智能领域的行业资源组织者、产业发展培育者、落

近期媒体报道，日本政府正考虑对Rapidus进行出资，方案是采用「实物出资（以工厂、设备等金钱以外的资产进行出资）」的方式来取得Rapidus股票，具体的出资时间、金额，将待今后由经济产业省、财务省进行协商。业界认为，日本政府此举除了可加强对Rapidus营运的参与、监督外，也能藉由强化政府援助的姿态、让Rapidus能更易于获得民间的投融资。报道指出，日本政府目前是采用委托Rapidus研发次世