近日，浙大杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。

文章指出，为提升碳化硅晶体厚度，联合实验室开展了提拉式物理气相传输（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生长超厚碳化硅单晶的研究（图1a）。

source：先进半导体研究院

采用提拉式物理气相传输法，联合实验室成功生长出直径为6英寸（即150mm）的碳化硅单晶，其厚度突破了100mm。测试加工而得的衬底片的结果显示，该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型（图2a）、结晶质量良好（图2b），电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。

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